WEKO3
アイテム
Model of the Light-Induced Defect Creation in Hydrogenated Amorphous Silicon
https://it-hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/603
https://it-hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/6030fc97802-be09-4335-8ce4-5cfdee4e72e7
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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kenkyukiyo33019.pdf (147.0 kB)
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 2023-03-30 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Model of the Light-Induced Defect Creation in Hydrogenated Amorphous Silicon | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
著者 |
森垣, 和夫
× 森垣, 和夫× Morigaki, Kazuo |
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抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | A previous model that prolonged illumination creates two types of dangling bonds, i.e., normal dangling bonds and hydrogen-related dangling bonds (dangling bonds having hydrogen at a nearby site) is modified by taking into account recent observations in a-Si:H, particularly on diffusion of hydrogen dissociated from a Si-H bond by nonradiative recombination at hydrogenrelated dangling bonds and intradistance within a close pair of two types of dangling bonds. | |||||
書誌情報 |
広島工業大学研究紀要 巻 33, p. 19-24, 発行日 1999-02-01 |
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出版者 | ||||||
出版者 | 広島工業大学 | |||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 03851672 | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AN0021271X | |||||
関連サイト | ||||||
識別子タイプ | URI | |||||
関連識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/40003284393/ | |||||
関連名称 | http://ci.nii.ac.jp/naid/40003284393/ | |||||
フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
日本十進分類法 | ||||||
主題Scheme | NDC | |||||
主題 | 549.8 |