WEKO3
アイテム
Model of the Light-Induced Defect Creation in Hydrogenated Amorphous Silicon
https://it-hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/603
https://it-hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/6030fc97802-be09-4335-8ce4-5cfdee4e72e7
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||
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| 公開日 | 2023-03-30 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Model of the Light-Induced Defect Creation in Hydrogenated Amorphous Silicon | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||
| 著者 |
森垣, 和夫
× 森垣, 和夫
× Morigaki, Kazuo
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| 抄録 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||
| 内容記述 | A previous model that prolonged illumination creates two types of dangling bonds, i.e., normal dangling bonds and hydrogen-related dangling bonds (dangling bonds having hydrogen at a nearby site) is modified by taking into account recent observations in a-Si:H, particularly on diffusion of hydrogen dissociated from a Si-H bond by nonradiative recombination at hydrogenrelated dangling bonds and intradistance within a close pair of two types of dangling bonds. | |||||||||||
| 書誌情報 |
広島工業大学研究紀要 巻 33, p. 19-24, 発行日 1999-02-01 |
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| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | 広島工業大学 | |||||||||||
| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 03851672 | |||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
| 収録物識別子 | AN0021271X | |||||||||||
| 関連サイト | ||||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||
| 関連識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/40003284393/ | |||||||||||
| 関連名称 | http://ci.nii.ac.jp/naid/40003284393/ | |||||||||||
| フォーマット | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
| 日本十進分類法 | ||||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||||
| 主題 | 549.8 | |||||||||||