| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2023-03-30 |
| タイトル |
|
|
タイトル |
RF-DC 結合マグネトロンスパッタ法によるMo薄膜の作製 |
| タイトル |
|
|
タイトル |
Preparation of Mo Thin Films by RF-DC coupled-Magnetron Sputtering |
|
言語 |
en |
| 言語 |
|
|
言語 |
jpn |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
RF- DC Coupled Magnetron Sputtering |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
Mo Thin Film |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
ESCA |
| 資源タイプ |
|
|
資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
|
資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| 著者 |
嵜, 義昭
田中, 武
川畑, 敬志
Saki, Yoshiaki
Tanaka, Takeshi
Kawabata, Keishi
|
| 抄録 |
|
|
内容記述タイプ |
Abstract |
|
内容記述 |
Discharge characteristics of RF-DC coupled-magnetron sputtering were investigated. It was found that target current depended on target-DC-bias voltage applied to target, rather than RF power. The deposition rate of Mo thin films deposited on thermal oxide silicon/Si (100) by the sputtering system can be controlled easily by target-DC bias voltage. Also investigated were the effects of deposition parameters such as the deposition rate and substrate temperature conditions on the resistivity of molybdenum films. An electrical resistivity as low as 6.9 μΩcm was obtained in molybdenum film by depositing at a substrate temperature of 450°C. |
| 書誌情報 |
広島工業大学研究紀要
巻 26,
p. 61-65,
発行日 1992
|
| 出版者 |
|
|
出版者 |
広島工業大学 |
| ISSN |
|
|
収録物識別子タイプ |
ISSN |
|
収録物識別子 |
03851672 |
| 書誌レコードID |
|
|
収録物識別子タイプ |
NCID |
|
収録物識別子 |
AN0021271X |
| フォーマット |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
|
|
出版タイプ |
VoR |
|
出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kenkyukiyo26061.pdf (202.1 kB)
