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アイテム
蒸着膜によるAg-SiO-Ag構造の薄膜機能素子
https://it-hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/277
https://it-hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/277efc3b06c-e7a6-4c07-91fb-a7a66b7d3b7f
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||
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公開日 | 2023-03-30 | |||||||||||
タイトル | ||||||||||||
タイトル | 蒸着膜によるAg-SiO-Ag構造の薄膜機能素子 | |||||||||||
タイトル | ||||||||||||
タイトル | Functional Device with Evaporated Ag-SiO-Ag Multifilms | |||||||||||
言語 | en | |||||||||||
言語 | ||||||||||||
言語 | jpn | |||||||||||
資源タイプ | ||||||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||
著者 |
川畑, 敬志
× 川畑, 敬志
× Kawabata, Keishi
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抄録 | ||||||||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||
内容記述 | Ag-SiO-Ag multifilm structures of sandwich types have been investigated. There are two stable and non-volatile states in their I-V characteristics. These two states can be switched each other by application of excess voltage over a particular critical value. This threshold voltage is peculiar to the structure itself. These multifilm structures are considered available to memory or switching elements similar to that of amorphous semiconductors. Electroluminescence of Ag-SiO-Ag and Ag-SiO--Ag-SiO--Ag multifilms, which appears when conductivity is developed, is characterized by voltage controlled negative resistance in their I-V characteristics. | |||||||||||
書誌情報 |
広島工業大学研究紀要 巻 09, p. 141-149, 発行日 1974 |
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出版者 | ||||||||||||
出版者 | 広島工業大学 | |||||||||||
ISSN | ||||||||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
収録物識別子 | 03851672 | |||||||||||
書誌レコードID | ||||||||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
収録物識別子 | AN0021271X | |||||||||||
フォーマット | ||||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||||
内容記述 | application/pdf | |||||||||||
著者版フラグ | ||||||||||||
出版タイプ | VoR | |||||||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |