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  1. 紀要論文
  2. 広島工業大学研究紀要
  3. 07

トランジスタおよびダイオードの60Co-γ線照射効果について

https://it-hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/244
https://it-hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/244
31af6fc0-c71b-4171-be80-8263a3f3a0f8
名前 / ファイル ライセンス アクション
kenkyukiyo0702097.pdf kenkyukiyo0702097.pdf (146.0 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2023-03-30
タイトル
タイトル トランジスタおよびダイオードの60Co-γ線照射効果について
タイトル
タイトル On The Cobalt-60 gamma Irradiation Effects in Transistors and Diodes
言語 en
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 川畑, 敬志

× 川畑, 敬志

川畑, 敬志

ja-Kana カワバタ, ケイシ

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Kawabata, Keishi

× Kawabata, Keishi

en Kawabata, Keishi

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The radiation damage effects of silicon n-p-n transistors and diodes under Cobalt-60 gamma radiation were investigated. The changes in characteristics of VBE-IB, gain hFE and the reverse current were measured and the anealing effects for these characteristics due to temparature were also examined in the paper. The results show that the degradiation of gain and an increase of the leakage current are caused by an increase in the surface recombination velocity near the junction. The surface damage of transistors aneals at low temparatures (60℃ to 100℃) and a plateau in the recovery is then reached at about 100℃.
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 1. まえがき 2. 実験方法 3. 実験結果およびその検討 4. あとがき 参考文献
書誌情報 広島工業大学研究紀要

巻 07, 号 2, p. 97-100, 発行日 1973
出版者
出版者 広島工業大学
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 03851672
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN0021271X
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.1 2023-07-25 10:54:35.249257
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