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  1. 紀要論文
  2. 広島工業大学研究紀要
  3. 06

半導体の放射線損傷に関する研究

https://it-hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/231
https://it-hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/231
e4e70f86-4e46-426a-b99b-81c89e16d7b5
名前 / ファイル ライセンス アクション
kenkyukiyo0602115.pdf kenkyukiyo0602115.pdf (170.3 kB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2023-03-30
タイトル
タイトル 半導体の放射線損傷に関する研究
タイトル
タイトル Studies on the Radiation Effects in Semiconductor Devices
言語 en
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 川畑, 敬志

× 川畑, 敬志

川畑, 敬志

ja-Kana カワバタ, ケイシ

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Kawabata, Keishi

× Kawabata, Keishi

en Kawabata, Keishi

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 When a transistor is subjected to radiation exposure, a component of the five base current components for the NPN transistor increases in propotion to radiation fluence. In this paper the space-charge region recombination current varriation with neutron and 60Co gamma exposure is examined. These base current components are measuring as a function of base-emitter voltage. The results indicate that the characteristic curve (VBE-IB) at high injection shifts for neutron irradiation but not shift for γ-ray. It is also shown that a reciprocal slope term, n, does not vary with neutron fluence but tends to vary with γ-ray exposure at low injection.
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 1. まえがき 2. 実験方法 3. 実験結果 4. 結果の検討 5. あとがき 参考文献
書誌情報 広島工業大学研究紀要

巻 06, 号 2, p. 115-119, 発行日 1972
出版者
出版者 広島工業大学
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 03851672
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN0021271X
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.1 2023-07-25 10:54:55.553062
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