| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2023-03-30 |
| タイトル |
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タイトル |
半導体の放射線効果に関する研究(Ⅲ) |
| タイトル |
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タイトル |
Study on Radiation Effects in Semiconductor Devices |
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言語 |
en |
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言語 |
jpn |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| 著者 |
川畑, 敬志
北山, 正文
尾土平, 澈
若宮, 勝征
Kawabada, Keishi
Kitayama, Yoshifumi
Otohira, Tetsu
Wakamiya, Katsuyuki
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Radiation effects to semiconductor devices is complex because of the numerous possible combinations of different types of radiation, irradiated and measured condition and semiconductor devices affected by radiation. In this paper, gain hfe and input impedance at f=270 Hz during high dose neutron irradiation by KUR were examined for the 2SB223 and 2SC31 type transistor. The gain degradiation for the 2SB223 PNP type transistor was greater than for the 2SC31 NPN type translstor. It was found that the 2SC31 type transistor was damaged by displacement effect in the base region and the 2SB223 type transistor was damaged by both of this displacement effect and surface effect. |
| 内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
1. 緒言 2. 実験装置および実験方法 3. 実験結果およびその検討 3.1 実験結果 3.2 結果の検討 4. 結言 参考文献 |
| 書誌情報 |
広島工業大学研究紀要
巻 05,
号 1,
p. 107-116,
発行日 1970
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| 出版者 |
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出版者 |
広島工業大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
03851672 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN0021271X |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kenkyukiyo0501107.pdf (1.5 MB)
