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  1. 紀要論文
  2. 広島工業大学研究紀要
  3. 05

半導体の放射線効果に関する研究(Ⅲ)

https://it-hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/217
https://it-hiroshima.repo.nii.ac.jp/records/217
8741b530-a466-4c75-bcfe-cb38c7222353
名前 / ファイル ライセンス アクション
kenkyukiyo0501107.pdf kenkyukiyo0501107.pdf (1.5 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2023-03-30
タイトル
タイトル 半導体の放射線効果に関する研究(Ⅲ)
タイトル
タイトル Study on Radiation Effects in Semiconductor Devices
言語 en
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
著者 川畑, 敬志

× 川畑, 敬志

川畑, 敬志

ja-Kana カワバタ, ケイシ

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北山, 正文

× 北山, 正文

北山, 正文

ja-Kana キタヤマ, ヨシフミ

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尾土平, 澈

× 尾土平, 澈

尾土平, 澈

ja-Kana オトヒラ, テツ

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若宮, 勝征

× 若宮, 勝征

若宮, 勝征

ja-Kana ワカミヤ, カツユキ

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Kawabada, Keishi

× Kawabada, Keishi

en Kawabada, Keishi

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Kitayama, Yoshifumi

× Kitayama, Yoshifumi

en Kitayama, Yoshifumi

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Otohira, Tetsu

× Otohira, Tetsu

en Otohira, Tetsu

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Wakamiya, Katsuyuki

× Wakamiya, Katsuyuki

en Wakamiya, Katsuyuki

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Radiation effects to semiconductor devices is complex because of the numerous possible combinations of different types of radiation, irradiated and measured condition and semiconductor devices affected by radiation. In this paper, gain hfe and input impedance at f=270 Hz during high dose neutron irradiation by KUR were examined for the 2SB223 and 2SC31 type transistor. The gain degradiation for the 2SB223 PNP type transistor was greater than for the 2SC31 NPN type translstor. It was found that the 2SC31 type transistor was damaged by displacement effect in the base region and the 2SB223 type transistor was damaged by both of this displacement effect and surface effect.
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 1. 緒言 2. 実験装置および実験方法 3. 実験結果およびその検討 3.1 実験結果 3.2 結果の検討 4. 結言 参考文献
書誌情報 広島工業大学研究紀要

巻 05, 号 1, p. 107-116, 発行日 1970
出版者
出版者 広島工業大学
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 03851672
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN0021271X
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
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Ver.1 2023-07-25 10:55:13.003843
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