| Item type |
紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) |
| 公開日 |
2023-03-30 |
| タイトル |
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タイトル |
半導体の放射線損傷について〔Ⅱ〕 |
| タイトル |
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タイトル |
On the radiation damage Semiconductor divices |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
jpn |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
departmental bulletin paper |
| 著者 |
川畑, 敬志
北山, 正文
Kawabata, Keishi
Kitayama, Yoshifumi
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Recently semiconductor divices have been applied to electric equipments in a radiation environment. The electric proparties of semiconductor devices are known to be sensitive to the lattic deffects produced by irradiation of radiation ray. The effects of thermal neutron radiation damage in various transistors on the market measured about VCE-IC, VCB-IC characteristics and h-parameters. In this paper, the effects of radiation on high frequency transistors and low frequency transistors will be discussed, and results will show that high frequency type transistors are more resistant to radiation damage than low frequency type transistors. |
| 書誌情報 |
広島工業大学研究紀要
巻 04,
号 1,
p. 237-247,
発行日 1970
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| 出版者 |
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出版者 |
広島工業大学 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
03851672 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN0021271X |
| フォーマット |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
application/pdf |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
kenkyukiyo0401237.pdf (344.0 kB)
